3 600 р.
Типы компонентов: транзисторы (PNP, NPN, MOSFET, JFET), диоды и сдвоенные диоды, резисторы, конденсаторы, индуктивности, тиристоры, триаки (симисторы), стабилитроны, чип-резисторыТипы корпусов: SOT23, TO252, SO8, TOxxx, DIP, 0603, 0805, 1206Сопротивление: 0,01 Ом … 50 МОмЁмкость: 1 пФ ... 100 000 мкФESR (эквивалентное последовательное сопротивление) от 2 мкФ до 10 мФ: разрешение 0,01 ОмИндуктивность: 0,01 мГн … 20 ГнАвтоматическое определение типов: биполярных транзисторов NPN и PNP, полевых МОП-транзисторов с N- и P-каналом, полевых транзисторов JFET, диодов, двойных диодов, тиристоров и триаков.Измерение коэффициента усиления биполярных транзисторов (hFE)Измерение порогового напряжения база-эмиттер биполярных транзисторовОбнаружение защитного диода биполярных транзисторов и полевых МОП-транзисторовИзмерение порогового напряжения затвора и значения емкости затвора MOSFET транзисторовГенератор: 1 Гц … 2 МГц амплитуда 5ВШИМ генератор: 10 бит 7,8 кГц
Написать отзыв